Intel、美光提前掀NAND Flash 30奈米大战 - 平板 - 山寨手机网

Intel、美光提前掀NAND Flash 30奈米大战

被围观:发布时间:2009-09-14 12:03:10作者:龙武字号:T|T|T
Intel、美光提前掀NAND Flash 30奈米大战,三星明年全面备战,SSD硬盘有看价格普及。


Intel(Intel)和美光(Micron)合资成立的IM Flash,即将量产34奈米制程的NAND Flash产品,且先攻部队会瞄准32Gb容量的产品,这即是是向最大竞争对手三星电子(三星 Electronics)下战帖;目前三星42奈米产品已开端出货,而东芝(Toshiba)43奈米产品也量产,惟存储器业者流露,固然三星42奈米制程相当具竞争力,但避免被Intel和美光阵营超前,2009年会将重要资源放在30奈米制程,因此2009年NAND Flash市场将名正言顺进进30奈米大战,本钱将进一步下滑。 
NAND Flash市场2008年才刚掀开40奈米大战,三星和东芝在下半年好不轻易将42奈米和43奈米扶植上量产阶段,而海力士延宕将近1年的48奈米制程产品,也才进进量产没多久,全部NAND Flash市场又被Intel和美光搅乱一池春水,2者合资的IM Flash公司发布量产34奈米制程,硬是将全球的NAND Flash制程推向30奈米之战。
IM Flash表现,位于美国犹他州的12寸晶圆Lehi厂房,会在年底前将50%产能全部导进34奈米制程,由现有的50奈米制程直接跳到34奈米,本钱结构大幅要挟竞争对手三星和东芝。IM Flash进一步表现,预计34奈米制程将生产32Gb容量的NAND Flash芯片,利用产品以固态硬碟(SSD)和快闪记忆卡为主。
下游业者表现,三星的42奈米制程产品已经步进量产阶段,但由于Intel和美光的34奈米NAND Flash来势汹汹,因此内部已打算在2009年导进30奈米制程,且大部分的NAND Flash资源都将以30奈米制程的研发和量产上,以免Intel阵营挟持34奈米制程上风,损害到三星霸主的地位。
2008年NAND Flash价格重挫,下半年遇上百年难得一见的金融风暴,更是重击花费性电子产品的市场信心,加速各家NAND Flash大厂转进新制程的决心,以及能进一步改良本钱结构,目前全球市占率位居第2的东芝,也打算在2009年第1季前,让大部分的56奈米制程退役,全力转进43奈米。

在海力士方面,经过将近1年的折腾,48奈米制程也终于开端量产,预计本钱可再减少30%幅度,为了对抗Intel、美光和三星,海力士最新一版的41奈米制程,预计也将在2009年第1季发布。存储器业者分析,海力士的48奈米制程固然量产,但进度即是是竞争对手的50奈米世代,因此内部的重心未来会放在41奈米制程上,才干扳回一城。

惟下游业者分析,NAND Flash业者2008年陆续发布减产,尤其是主导8寸厂退役,但现在又大张旗鼓的进进40奈米和30奈米制程世代,无疑又发明NAND Flash的跌价空间,往有利的方向看,现在SSD本钱与硬碟相较还是太贵,假如NAND Flash价格能进一步下滑,为SSD市场展路也不是坏事。